Circuite de comanda pentru
semiconductoarele de putere in baza a tranzistoarelor bipolare
Comanda
conditioneaza buna functionare a tranzistorului bipolar de
putere. Complexitatea schemei de comanda este subordonata
frecventei de lucru si valorii curentului de colector. Comanda tranzistoarelor bipolare
de putere trebuie sa satisfaca urmatoarele cerinte:
Injectare
rapida a unei cantitati suficiente de purtatori la intrarea
in conductie pentru a se reduce interferenta curent-tensiune.
Tensiunea UCE trebuie sa scada rapid si curentul iB trebuie
sa prezinte un varf de aproximativ 3*Ibsat.
Reducerea
timpului de descrestere al curentului de colector la deschidere prin
control asupra vitezei de extractie a sarcinii stocate. Aceasta
extractie se face pentru a polariza invers jonctiunea emitoare
printr-un curent negativ in baza. Acest curent negativ in baza
trebuie sa fie mentinut pe durata intregului interval de blocare
pentru a evita aparitia curentului invers prin tranzistor in cazul unei
tensiuni negative.
Forma de unda pentru curentul de baza la deschidere si
la blocare este prezentata in figura 3.6.1. Un asemenea curent de
comanda se poate obtine cu un tranzistor auxiliar T1 asociat cu un
circuit RC (figura 3.6.2 ) sau cu un condensator de accelerare conectat in
paralel pe rezistenta de limitare in baza tranzistorului.
Totodata, driverele care asigura
amplificarea impulsurilor trebuie
sa realizeze si functia de separare galvanica, functie
ce poate fi indeplinita prin intermediul unor optocuploare. Deoarece
optocuploarele utilizate au performante reduse si abateri destul de
mari ale parametrilor elementele RC care asigura ajustarea timpilor de
intarziere au fost ajustate pentru fiecare canal pentru a obtine
caracteristici de intrare iesire cat mai apropiate. Schema unui circuit de comanda in
baza este prezentata in figura 3.6.3.
